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FABRICACION DE PELÍCULAS DELGADAS NANOESTRUCTURADAS DE NITRURO DE ALUMINIO DEPOSITADAS POR ABLACIÓN LÁSER, PARA APLICACIONES EN SENSORES DE ONDAS ACUSTICAS (SAW).

 

INVESTIGADOR(ES) PRINCIPAL(ES):

NOMBRE
DEDICACIÓN

Jaime Andrés Pérez Taborda

0 horas

 

CODIGO CIE

E6-10-6

NOMBRE DEL GRUPO DE INVESTIGACIÓN
PROPONENTE

PLASMA, LASER Y APLICACIONES

SI
NOMBRE
PARTICIPACION
DEDICACIÓN

Henry Riascos Landazuri

Tutor

0 Horas

 

TIPO DE CONVOCATORIA

2009. Sexta Convocatoria

TIPO DE PROYECTO

Investigación Aplicada

OBJETIVO(S)

Identificar un rango de temperatura de sustrato y de presión de gas nitrógeno para crecer películas delgadas de nitruro de aluminio de alta calidad mediante la técnica de deposición de laser pulsado (PLD) y estudiar las propiedades de estas películas mediante Espectroscopia de infrarrojos por transformada de Fourier (FTIR), difracción de rayos X (DRX), microscopia electrónica de barrido (SEM) y Energía dispersiva de rayos X (EDS)

RESUMEN

Se logró crecer mediante la técnica Deposición por Laser pulsado (PLD) en el laboratorio Plasma láser y Aplicaciones de la Universidad Tecnológica de Pereira, películas delgadas de AlN utilizando un láser pulsado de Nd:YAG. Se observa una nanoestructura policristalina en las películas crecidas a temperatura ambiente y a bajas presiones del gas de trabajo, quedando de manifestó que la técnica es beneficiosa para este tipo de crecimientos debido principalmente, a las altas energías de las partículas de la pluma que se depositan sobre el sustrato, aun para una separación relativamente grande entre el blanco sustrato como es en nuestro caso. La calidad morfológica de las películas es buena, en especial para las películas crecidas sobre Si/Si3N4 (100). Para las películas crecidas sobre sustrato de portaobjetos de vidrio se observan partículas con formas irregulares atribuibles a formación de dropplets, impurezas del sustrato o procesos de exfoliación. Estos dropplets, los cuales son típicos de la técnica y asociados a un crecimiento de tipo columnar. El análisis por AFM indica que el tamaño de grano es del orden de los manómetros, además de poseer una baja rugosidad. El espesor de las películas es del orden de nanómetros lo cual es conveniente para las futuras aplicaciones de las películas en dispositivos optoelectrónicos. Enlaces de Al - N, asociado con el AlN fueron encontrados para una energía de enlace de 73,6 eV. Para la alúmina (Al-O), se ha hallado en el valor de energía 74,7 eV, en las capas internas de depósito, esto favorecer al aumento de los tamaños de grano ya que el oxígeno forma capas de óxido de aluminio induciendo fallas de apilamiento y defectos cristalinos. Esto se evidencio después de un exhaustivo análisis donde se varió la presión de N2 (3mTorr-7mTorr) para obtener la mejor presión de depósito. Posteriormente se varió la temperatura de sustrato entre (21°-600°C) para un total de 13 juegos de películas. Las películas fueron caracterizadas por medio de difracción de rayos X (XRD), microscopia electrónica de barrido (SEM), Energía dispersiva de rayos X (EDX), Espectroscopia de infrarrojos por transformada de Fourier (FT-IR), Espectroscopia de Fotoemisión de Electrones (XPS), Microscopía de Fuerzas Atómicas (AFM) y Reflectancia.

ESTADO

Concluido

FECHA DE INICIO

14/01/2010

FECHA DE FINALIZACION

14/06/2010

PRODUCTOS

NOMBRE
CATEGORÍA
ENLACE

ANALISIS ESTRUCTURAL Y MORFOLOGICO DE PELICULAS DE NITRURO DE ALUMINIO OBTENIDAS POR DEPOSICION DE LASER PULSADO

Artículo publicado en Revista de divulgación

DEPOSICION Y CARACTERIZACION DE PELICULAS DELGADAS DE NITRURO DE ALUMINIO OBTENIDAS POR PLD PARA SENSORES DE ONDAS ACUSTICAS (SAW)

Ponencia en evento especializado

NANOESTRUCTURADAS DE NITRURO DE ALUMINIO DEPOSITADAS POR ABLACI ON LASER

Ponencia en evento especializado

NANOESTRUCTURAS DE NITRURO DE ALUMINIO (AlN) OBTENIDAS POR DEPOSICION DE LASER PULSADO

Ponencia en evento especializado

OBTENCION Y CARACTERIZACION DE PELICULAS DELGADAS DE AlN POR PLD UTILIZADAS COMO SUSTRATOS DE SENSORES SAW

Ponencia en evento especializado

Optical Emission Spectroscopy Of Thin Films Of Aluminum Nitride Deposited By Pulsed Laser Deposition

Ponencia en evento especializado

OPTICAL PROPERTIES DEPENDENCE WITH GAS PRESSURE IN AlN FILMS DEPOSITED BY PULSED LASER ABLATION

Artículo publicado en Revista de divulgación

PELICULAS DELGADAS DE AlN OBTENIDAS MEDIANTE DEPOSICION DE LASER PULSADO

Ponencia en evento especializado

PELICULAS DELGADAS DE NITRURO DE ALUMINIO (AlN)

Artículos publicados en Revistas B, C ó D

PELICULAS DELGADAS NANOESTRUCTURADAS DE NITRURO DE ALUMINIO DEPOSITADAS POR ABLACION LASER

Artículo publicado en Revista de divulgación

PELICULAS DELGADAS NANOESTRUCTURADAS DE NITRURO DE ALUMINIO DEPOSITADAS POR ABLACION LASER

Ponencia en evento especializado