INVESTIGADOR(ES) PRINCIPAL(ES):

Henry Riascos Landazuri

13 horas

CODIGO CIE

3-23-1

Juan David López Vargas

Coinvestigador Ext.

3 Horas

Luis Mateo Hoyos Velasquez

Estudiante

5 Horas

Dorian Camilo Londoño Zuluaga

Estudiante

5 Horas

Luis Eduardo Vidal Salgado

Coinvestigador

5 Horas

Daniel Felipe Socha Hurtado

Estudiante

5 Horas

TIPO DE CONVOCATORIA

2022. Grupos De Investigación

TIPO DE PROYECTO

Investigación Básica

OBJETIVO(S)

Objetivos: Como objetivo general nos proponemos sintetizar mediante PLD películas nanoestructuradas de óxidos de metálicos, (ZnMnO, ZnFeO) variando parámetros de crecimiento como el tiempo de depósito, la fluencia del láser, la temperatura del sustrato, el gas de trabajos e investigar sus propiedades magnéticas, eléctricas, ópticas y morfológicas, para posibles aplicaciones ópticas y electrónicas. Objetivos Específicos: (1) Sintetizar Películas delgadas de ZnMnO. Como primer objetivo específico pretendemos sintetizar películas de ZnO dopado con Mn, usando un láser pulsado Nd:YAG en su longitud de onda fundamental (1064 nm). Variando la Temperatura del sustrato y manteniendo constante los otros parámetros. (2) Sintetizar Películas delgadas ZnMnO variando cada uno de los restantes parámetros de crecimiento. Sintetizar películas de Zn- MnO variando los parámetros de crecimiento: fluencia del láser, tiempo de depósito y presión del gas de trabajo, a la vez que se mantienen los demás parámetros constantes(3). Estudiar las diferentes propiedades de las muestras. Investigar cuidadosamente las propiedades magnéticas, como función de los parámetros de crecimiento, con un magnetómetro tipo SQUID o con un magnetómetro PPMS, las propiedades ópticas se analizarán usando espectroscopia Raman, uv-vis, espectroscopia infrarroja con transformada de Fourier (FTIR) y finalmente la composición química y funcionalización de las muestras con EDX y XPS respectivamente. (4) Estudiar las propiedades morfológicas y estructurales La morfología de la superficie de las muestras, así como la uniformidad en las capas y espesor de estas, como función de los parámetros de crecimiento, se analizarán mediante Microscopia de fuerza atómica (AFM) y microscopia electrónica de barrido (SEM). La estructura de las muestras se analizarán mediante difracción de rayos X (DRX) (5) Analizar las condiciones de crecimiento óptimas. De acuerdo a los análisis previos, se estudiará las condiciones de crecimiento óptimas de las películas crecidas, con alta cristalinidad y con excelentes propiedades ópticas y magnéticas. (6) Realizar los items 1-5 para otros óxidos metálicos Obtener un visión completa de la influencia de los parámetros del láser y las condiciones de crecimiento sobre los óxidos de metales, llevando a cabo la síntesis, caracterización y análisis de las propiedades de los óxidos ZnMnO, ZnFeO, MnO. (7) Difusión nuestros resultados Difundir nuestros resultados en diferentes eventos internacionales y nacionales, así como también publicarlos en revistas reconocidas por la comunidad científica internacional.

RESUMEN

A partir del impacto del transistor desde la década de los 40¿s, los dispositivos electrónicos se han basado en semiconductores que dependen fundamentalmente de los óxidos metálicos, ya que sus estructuras cristalinas permiten la manipulación de la carga del electrón para almacenar o procesar información. Sin embargo, desde hace algunos años se viene realizando un intenso trabajo de investigación destinado a la implementación de una nueva generación de dispositivos, denominados espintrónica, que además de aprovechar la carga del electrón puede hacer uso del grado de libertad del espín. Por otro lado, el hecho que los óxidos metálicos son compuestos inorgánicos formados por cationes metálicos (M+) y aniones de oxígeno (O2¿), que interaccionan electrostáticamente formando una unión covalente altamente iónico, permite la interacción con campos magnéticos y eléctricos, formando una clase muy diversa y fascinante de compuestos con propiedades estructurales extraordinarias. Estas estructuras hacen de que los óxidos metálicos cubran toda una gama de conductores, semiconductores y aislantes, especialmente debido a sus propiedades morfológicas, conductividad eléctrica, debido a que permiten la interacción de ellos con los campos magnéticos y eléctricos.

ESTADO

Ejecución

FECHA DE INICIO

01/02/2023

FECHA DE FINALIZACION

01/02/2025

PRODUCTOS